Исследователи из южноамериканского Института Райс проявили новый тип экспериментально запоминающего устройства, состоящего всего из 10 атомов графена. Эта разработка может быть способна неоднократно прирастить емкость модулей памяти, кроме этого эти запоминающие устройства способны выдерживать сильное радиационное излучение и температуру до двести градусов, сохраняя все данные.
Исследователи молвят, что рабочая температура "графеновой памяти" создает от минус 70 5 до плюс двести градусов по шкале Цельсия.
Очередное преимущество разработки заключается в беспримерной экономичности потребляемой энергии.
Для хранения данных модули памяти используют два начальных состояния – нейтральное состояние (условно говоря отключённое) и заряженное состояние (условно говоря включенное).
Чтоб закодировать один бит инфы в графеновых модулях требуется количество электричества в миллион раз наименьший, чем для кодировки такого же бита в этих кремниевых чипах.
Согласно точки зрения доктора наук Тура, использовать хоть какой атом графена для гранения 1-го бита в ближайщее время будет навряд ли может быть, а вот соединять воединыжды пару атомов этого вещества для хранения бита полностью реально. Но даже такой способ все равно будет означать высококачественный скачок в сопоставлении с существующими запоминающими устройствами.
В протяжении лабораторных тестов группе доктора наук Тура удалось сделать кремниевые модули, на которых были расположены 10 атомарных слоев графена, в конечном итоге приобретенный графеновый слой взял толщину около 5 нанометров. Исследователи молвят, что в новых экспериментальных модулях базовые ячейки хранения инфы примерно в 40 раз меньше ячеек, используемых в самых современных 20-нанометровых модулях NAND-памяти.
По словам начальника изучений доктора наук Джеймса Тура, 1-ые эталоны памяти на базе графена были взяты уже издавна, на данный момент специалисты молвят, что их разработки способны хранить записанные на их эти длительное время.
Единственная проблема, которую физики пока не могут решить заключается в разработке мультислойных модулей памяти на базе графена, и вприбавок скорость доступа к данным, которая на данный момент создает около 100 наносекунд, против 50 наносекунд у SSD-наносекунд и 10 накопителей у последних образцов модулей оперативки